Transistors : le MIT déclare la guerre à la Loi de Moore

En 1965, l’informatique était une discipline encore balbutiante. Mais cela n’a pas empêché Gordon Earl Moore de formuler une hypothèse très intéressante. Il a prédit que le nombre de transistors — les petites sous-unités qui sont à la base du fonctionnement de nombreux composants électroniques — d’une puce allait augmenter de façon exponentielle (on parle en général d’un doublement tous les deux ans), avec une augmentation significative de la puissance de calcul à la clé. Au fil des années, ce constat empirique s’est avéré quasiment exact, et ce pronostic est donc passé à la postérité sous le nom de Loi de Moore.

Mais Moore lui-même était bien conscient que cette tendance ne pourrait pas durer indéfiniment. Les spécialistes commencent désormais à en percevoir les limites de façon très concrète, et ce pour plusieurs raisons.

Le premier souci, c’est tout simplement la capacité de fabrication. La miniaturisation des composants est un exercice difficile. À chaque étape, il devient encore plus difficile de grappiller de l’espace et d’intégrer ces tout petits éléments dans une même architecture.

Il y a aussi des limites thermodynamiques ; plus on diminue la taille des transistors pour en augmenter le nombre, plus il devient difficile de les refroidir correctement. C’est quelque chose que l’on constate déjà avec les dernières générations de CPU, qui affichent des enveloppes thermiques démentielles.

Mais le plus gros écueil se situe au niveau de l’architecture de la matière en elle-même. Quand la taille d’un transistor s’approche de celle d’un atome isolé, les électrons cessent de se comporter comme prévu. Le silicium qui les compose a donc tendance à perdre ses propriétés électriques, et la puce ne peut plus fonctionner correctement.

Deux dimensions, une infinité de possibilités

C’est là qu’intervient l’équipe de Jeehwan Kim et Ki Seok Kim, deux responsables de laboratoire au prestigieux Massachusetts Institute of Technology. Ils travaillent sur une approche qui pourrait permettre de contourner cette limite fondamentale : les matériaux 2D.

Tous les objets sur lesquels vous pouvez poser les yeux en ce moment sont constitués d’atomes empaquetés dans un réseau en trois dimensions. Un matériau 2D, en revanche, est une sorte de plaque d’atomes constituée d’une seule couche. On peut par exemple citer le graphène, composé d’un unique étage d’atomes de carbone.

Ces matériaux présentent des propriétés assez uniques, et ils font aujourd’hui l’objet d’un intérêt tout particulier dans de nombreuses disciplines scientifiques de pointe. On peut par exemple citer les twistronics. C’est une jeune sous-discipline de l’optique qui joue sur les interactions de matériaux ultrafins pour contrôler la lumière (voir notre article).  LA propriété qui intéresse le MIT, c’est leur capacité à conduire l’électricité avec une efficacité démentielle. Ils permettent le passage des électrons en n’opposant presque aucune résistance. Il pourrait donc s’agir d’une alternative révolutionnaire aux transistors de silicium actuels.

De quoi pousser l’industrie au-delà des limites de la loi de Moore ? Sur le papier, oui. Mais c’est beaucoup plus facile à dire qu’à faire. « On considère traditionnellement qu’il est presque impossible de faire pousser des cristaux en 2D sur du silicium », explique Kim. En effet, parvenir à une couche d’atomes parfaite n’est pas chose aisée.

Remettre les choses à plat

L’approche la plus en vogue consiste à « peler » une couche d’atomes à partir d’un matériau brut. Mais dans ces derniers, les cristaux poussent parfois de façon un peu anarchique. La structure cristalline présente alors des imperfections inacceptables dans ce contexte. Il faut donc énormément de temps pour parvenir à un résultat exploitable.

Les chercheurs expliquent que pour forcer le cristal à se développer correctement, il faut les cultiver sur des surfaces avec des motifs d’atomes très particuliers — des hexagones. Or, s’il existe bien quelques matériaux de ce genre comme le saphir, ce n’est pas le cas du silicium. Un gros problème, sachant que toute l’informatique moderne est bâtie autour de ce matériau.

Pour contourner cet obstacle, ils ont développé une technique baptisée « croissance monocristalline non-épitaxiale ». Elle leur a permis de faire pousser un cristal 2D sur une plaquette de silicium standard, un support utilisé couramment par les fabricants de puces informatiques.

Concrètement, ils ont commencé par cultiver un cristal sur une plaquette, ou wafer de silicium. Ils l’ont ensuite recouvert d’une couche de dioxyde de silicium. À l’échelle atomique, ce matériau présente des sortes de poches qui permettent de piéger les embranchements du cristal. Cela l’empêche de pousser de façon anarchique dans toutes les directions ; on obtient donc une unique couche d’atomes bien propre et organisée.

Un résultat aussi impressionnant qu’inattendu pour les chercheurs. Kim le qualifie même de « particulièrement choquant » — un choix de vocabulaire tout sauf anodin dans le monde académique. « On observe la croissance d’une structure monocristalline [très vulgairement, un cristal “parfait” où la structure est cohérente de bout en bout] alors qu’il n’y a pas de relation structurelle entre le matériau 2D et le feuillet de silicium », explique-t-il.

Une approche au potentiel immense

Et surtout, cette méthode leur a permis de produire un transistor fonctionnel. Le résultat final était incroyablement fin, et présentait des performances équivalentes à celles d’un transistor classique. C’est donc une preuve de concept remarquable qui représente peut-être le début d’une petite révolution de l’électronique et de l’informatique.

« Jusqu’à présent, nous n’avions aucun moyen de produire des matériaux 2D sous forme monocristalline sur des feuillets de silicium. La communauté avait presque abandonné l’idée d’utiliser des matériaux 2D pour les processeurs de demain », explique Kim. « Désormais, nous avons complètement résolu ce problème », se réjouit-il avant de conclure sur une phrase pas piquée des hannetons. Il estime en effet que ces travaux vont « changer le paradigme de la Loi de Moore » — rien que ça !

Il sera donc très intéressant de suivre l’évolution de ces travaux. Évidemment, il ne s’agit pour l’instant que de recherche fondamentale, et développer un processus industriel à grande échelle sera à la fois long, cher et difficile. Mais en cas de succès, les retombées pourraient être phénoménales. Et dans tous les cas, ils montrent au moins que la piste des matériaux 2D reste très prometteuse.

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