Depuis quelques années, Samsung et Qualcomm se livrent une véritable course aux performances dans le domaine des puces mobiles. Et pour gagner cette course, ils n’ont d’autres choix que de réduire encore et toujours la finesse de gravure de leur puce, de telle façon à ce que la consommation énergétique (et la chaleur) soit réduite au maximum. Les derniers SoC et processeurs en date (Snapdragon 820, Exynos 8890) bénéficient d’une gravure en 14 nm. Mais on sait déjà que les concepteurs de puces veulent aller jusqu’à 10 nm.
Un Galaxy S8 doté d’une puce très musclée ?
Et d’ici la fin de l’année, Samsung devrait commencer à produire des SoC gravés en 10 nm. Le premier appareil à en bénéficier devrait être le Galaxy S8. Si l’on en croit le leaker chinois sévissant sur Weibo I IceUniverse, Samsung serait en train d’effectuer des tests sur l’Exynos 8895, qui devrait équiper le Galaxy S8. Le constructeur l’aurait d’ailleurs déjà poussé dans ses retranchements en atteignant une fréquence de fonctionnement de 4 GHz sur les cœurs hautes performances et 2,7 GHz sur les cœurs basse consommation.
Une fréquence de fonctionnement record très impressionnante. À titre indicatif, l’Exynos 8890 peut monter jusqu’à 2,6 GHz au maximum tandis que le Snapdragon 820 monte jusqu’à 2,15 GHz. Evidemment, il est peu probable que la puce que l’on trouvera dans le Galaxy S8 disposera de telle fréquence de fonctionnement. Mais cela laisse rêveur quant aux immenses progrès dont sont capables les concepteurs de puce aujourd’hui.
Une simple rumeur pour l’instant
Une nouvelle toutefois à prendre avec force précaution. I IceUniverse lance souvent des rumeurs fantaisistes ou mal sourcées. Quant au Galaxy S8, il ne sera pas annoncé avant le début de l’année 2017, pour une commercialisation que l’on attend pour le mois de mars prochain. D’ici là, les choses auront largement eu le temps d’évoluer.
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