En ce sens, Samsung Semiconductor vient de passer à l’étape de production de masse de ses modules NAND de 64 Go gravés en 10nm. Comparés à la génération précédente gravée en 20nm, ces modules sont censées offrir plus de 30 % de performances en plus dans un volume 20% moins important.
Une prouesse qui se traduit en théorie par une meilleure expérience utilisateur puisque à stockage égal, un programme se lancera plus vite sur ces puces nouvelle génération comparées à une MicroSD de classe 10 par exemple :
260 mb/s en lecture/écriture séquentielle pour la NAND 10nm contre 24 mb/s et 12 mb/s respectivement en lecture et écriture séquentielle sur une carte SD de classe 10.
La production de masse au sein des usines de Samsung Semiconductor a débuté le mois dernier pour une disponibilité auprès des partenaires fixée au premier semestre 2013.
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Sauf que maintenant la plupart “trichent” en annonçant, non plus la finesse de gravure des pistes, mais la finesse des espacements entre pistes. Vu la galère pour graver des pistes propres plus fines chez les différents fondeurs, on réduit ailleurs….
raison de plus de ne pas mettre de micro sd dans les smartphones
je crois qu’il doit y avoir une erreur quelque part a moins que samsung ne sache se débarrasser des effets quantiques qui sont imprévisible a cette échelle …
@e-greg, peut être que pour toi c’est pas utile, mais moi je suis bien content d’avoir ma Micro SD de 32Go ou je peux stocker toute ma musique, vidéo, … Ainsi j’ai pas besoin d’avoir une sauvegarde en plus sur mon PC, quand je change de smartphone, je mets cette Micro SD dans le nouveau mobile et j’ai tout se que j’ai besoin.
Sans compter pour transféré des fichiers d’un appareil à un autre, mais aussi avoir un espace de stockage plus important.
“Les geeks à travers le monde s’accordent sur un point, plus ça va vite, mieux c’est.”
==> Sauf pour le sexe 😛
Petite erreur dans l’article : Samsung ne grave pas en 10nm mais, en 1x nm class (qui représente sans doute du 19 nm à ce jour, la classe couvrant la finesse de gravure de 10 a 19 nm).
Je me disais bien qu’on était pas encore au 10nm !
@Slater0013: La finesse de gravure n’est ni la largeur de piste, ni l’espacement entre pistes. Il s’agit de la largeur de grille des transistors (les pistes sont beaucoup plus larges).
A cette allure on aura des calculateurs quantiques dans 5 ans X_x… impressionnant.
Pas sûre que le gain de vitesse soit si important comparé à d’autre puce intégré gravé en 20nm. ça permet surtout de gagner de la place et ça c’est un bon point, toujours plus fin et plus léger….. Y a guère que nokia pour encore sortir des briques et placarder ça haut de gamme.
@simomax: Ca permet surtout de baisser la tension d’alim et donc la consommation. Par la même occasion, ça chauffe moins.
Attention à ne pas confondre 2 choses :
– la gravure de composants “complexes” (CPU par exemple)
– la gravure de mémoires (comme ici).
Et en effet, pour ce qui est des mémoires, le 1x (et donc le 10nm) est envisageable à cours terme, ce qui n’est pas le cas pour les composants complexes actuellement.
Donc si, graver à 11 nm ou 10 nm est envisageable dans ce cadre
On est quand même pas loin de trouver la limite là, on est à une centaine d’atome de cuivre :p
C’est quoi la suite ? photons ? 3D ?
nanotubes de carbone 😉