Il y a quelques jours, je vous parlais de la Mémoire HMC, qui a pour but de remplacer le standard DDR. Voici à présent son concurrent direct, dopé au Memristor (avec un petit côté Terminator dans le nom, que j’adore), la ReRAM pour Resistive Random Access Memory.
Développé conjointement par Hynix, HP et Samsung (qui bouffe à tous les râteliers décidément), ce type de mémoire a pour objectif de briser la frontière entre mémoire vive et mémoire de stockage. Le Memristor désigne un composant à effet mémoire, dont la résistance est variable.
Grâce à la résistance variable, ajustable par un courant électrique, un ensemble de Memristor peut être utilisé pour stocker de l’information. Pour expliquer très simplement : Si la valeur de la résistance est haute, alors l’information sera « 1 », si elle est basse, ça sera « 0 ». En multipliant les Memristors, on obtient des suites de 0 et de 1, et normalement, pas besoin de vous faire un dessin… De plus, grâce à l’effet mémoire, même en l’absence de courant, les informations restent stockées.
On arrive au point crucial, le moment où l’on se rappelle que nos pieds touchent bien par terre : “Ouais… Mais à quoi ça sert ?”
Imaginez une mémoire qui dispose des caractéristiques principales de la RAM (Bande passante, temps d’accès,…) et la capacité d’un SSD. Imaginez maintenant que cette mémoire puisse servir soit de Mémoire Vive, soit de Mémoire de Stockage, à votre convenance. Vous y êtes : le meilleur des deux mondes.
Néanmoins d’après ce que je peux entendre (au boulot) autour de moi, nous sommes encore loin des résultats espérés. Le planning fait état de réalisation de prototypes jusqu’en 2014, et une commercialisation possible en 2015.
On ignore aussi, si la première génération de ReRAM présentera cet aspect versatile décrit plus haut. Enfin, on ne sait pas si la ReRAM s’inscrira en concurrence ou en complémentarité de la HMC, bien que la présence de Samsung sur les deux normes fait pencher la balance pour la seconde option. Oui, on ne sait rien ! C’est beau le mystère…
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Jolies perspectives… et article très sympa au passage !
Le plus sioux serait de faire coder plus de valeurs : 0, 1, 2, etc en fonction de la résistance.
@Pakalatak: Je vois pas l’intérêt de passer du binaire au décimal pour stocker des données… Ça devrait plus augmenter le temps d’écriture pour pas grand chose, si? Plus d’explications sur ce que tu penses peut-être?
Ouais, stocker de l’analogique serait encore plus fort.
Très intéressant !
Pour des mises en veilles flash… mais mais…
mais aussi pour des virus bien persistants !
sinon, classe l’article ! ( Ca change du JDG )
Merci pour les encouragements. J’ai dut faire quelque chose de plus intéressant que pour la HMC, car on ne me critique pas. Quoique, le Week End n’est pas fini 😳
Bravo à toi le nerd! Article intéressant ET bien écrit!
Bravo, enfin un peu de technique plus poussée que ce qu’on voit d’habitude sur le JDG.
Je plusoie :love:
très bon article le nerd !
Très bonne idée les membres rédacteurs, ça ne pouvait que remonter le niveau du JDG. Haha.
plus interessant que l’article qui parle de l’APN de iphone 4S 🙂
Merci le nerd :love:
Très bon article !
Merci de nous faire entrevoir le futur en combinant bonne rédaction et explications claires.
Continue comme ça c’est super bien.
Et vu que tu t’y connais en matos, n’hésite pas à parler carte graphiques, proco, bench etc !
@guiness : Je prépare un article sur Bulldozer et un sur les ARM et SoC.
Merci pour cet article intéressant 🙂
Yeah cool, j’attends ça avec impatience !
Et la MRAM alors qui été prometteuse y’a quelque années ?
Ouaip super mini-article !
Simple concis et clair, pile poile ce que j’aime et ce que j’ai envie de trouver sur le JDG !
Brevo et merci !
Kooth : ” Je vois pas l’intérêt de passer du binaire au décimal pour stocker des données… Ça devrait plus augmenter le temps d’écriture pour pas grand chose, si? Plus d’explications sur ce que tu penses peut-être?”
Je ne vois pas en quoi cela augmenterait le temps d’écriture, qu’il y ait 2 ou 10 états possibles par unité de mémoire. En revanche un plus grand nombre d’états permettrait d’augmenter considérablement les capacités de stockage (avec 10 états, on passerait de 24 bits à 8 bits pour coder une même couleur, par exemple). On mettrait plus de choses sur une même plage de mémoire. Mais je ne suis pas programmeur, ni familier à ce type de considération, et j’imagine que des débats de ce genre ne sont pas récents…
Pour avoir travaillé avec cette techno, je peux vous dire qu’elle a de belle perspective mais néanmoins beaucoup de contrainte:
pour les (+):
– on modifie la structure du matériaux pour changer sa résistance, donc pas besoin de stocker une charge comme pour la Flash ou la RAM => meilleur rétention et plus rapide en lecture.
– la cellule peut facilement s’intégrer à une matrice mémoire mais de type NOR lié au fait qu’il ne possède que 2 pins. => facilité d’intégration
– le cout de fabrication est plus faible que celui de la Flash (moins de masque pour le réticule donc moins d’étape), mais nécessite l’injection de nouveaux matériaux. => faisabilité
pour les (-):
– pour la programmation (l’écriture de 0 ou de 1), on doit utiliser une forte tension (plus forte que sur une Flash), il faut alors une plus grosse charge pompe (pour avoir une tension supérieur à celle de l’alimentation). => gestion d’alimentation plus importante.
– on ne peut pas effacer une mémoire par zone comme sur une Flash car trop gourmand (on attaque des résistances avec une forte tension et le courant est proportionnel au nombre de cellule mémoire à effacer) => pas de d’effacement Flash
– en considérant que la taille d’une cellule Flash et la même qu’une ReRam, on aura toujours un taux d’intégration > pour la Flash du fait qu’on soit en structure NAND (groupe de cellule en série) au lieu de la structure NOR de la ReRAM (cellule en parallèle) => faible densité.
– pour l’instant les tensions de commutation sont très variable entre plusieurs cellule, la construction en réseau matricielle est compromise => maturité de la techno
En conclusion, on a le temps de voir ce type de mémoire dans nos appareils!!! La Flash a encore de quelques années à vivre avant qu’on atteigne les limites de physique d^u à la finesse de gravure (en dessous de 12nm) ça fait petit!!!!